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      漏源（yuán）电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      480

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      600

      最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

      7

      通道极性（xìng）：

      N沟道

      封装/温度（dù）(℃)：

      TO-251-3L/-55~125

      描述：

      650V,600mΩ,7A,N沟道基于超级结（jié）技术的功率MOSFET


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